[发明专利]光刻设备、传感器以及方法有效
| 申请号： | 201380015349.6 | 申请日： | 2013-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104204951B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | F·伊万格利斯塔;D·克伦德;C·德布瑞吉恩 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光刻设备包括配置成调节辐射束的照射系统，构造成支撑图案化装置的支撑件，能够在其剖视面中将图案赋予辐射束以形成图案化辐射束的图案化装置；构造以固定衬底的衬底基台，配置成将图案化辐射束投影至衬底的目标部分上的投影系统，以及传感器。传感器(S)包括，位于光刻设备操作期间辐射束朝向其引导的半导体衬底(4)的表面(8)上的光电二极管(2)，位于半导体衬底的表面上光电二极管周围的第一辐射阻挡材料(10)，以及第二辐射阻挡材料(12)位于光刻设备操作期间辐射束入射其上的半导体衬底的侧部(14)上。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 传感器 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量带内辐射的属性的传感器，包括：光电二极管，位于半导体衬底的面上；第一辐射阻挡材料，被提供成围绕所述半导体衬底的面上的所述光电二极管；第二辐射阻挡材料，位于所述半导体衬底的侧部上；其中，所述第二辐射阻挡材料提供了对于带外辐射的抑制。
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