[发明专利]外延掺杂的锗锡合金的形成方法有效
| 申请号： | 201380015682.7 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104185895B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;黄宜乔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此描述用于形成锗锡层的方法与所得的实施例。将锗前驱物与锡前驱物提供至腔室，且在基板上形成锗锡的外延层。锗锡层选择性沉积在基板的半导体区域上，且可包括具有改变的锡与掺杂剂浓度的厚度区域。可通过交替地或同步地将卤化物气体流入以蚀刻基板表面而选择性沉积锗锡层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 掺杂 合金 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板上选择性形成掺杂的GeSn层的方法，所述方法依序包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，其中所述基板包括介电表面与非介电表面二者；将锗氢化物前驱物、锡卤化物和掺杂剂共同流入所述处理腔室中，所述锗氢化物前驱物的通式为GenH(2n+2)，其中n大于1；外延生长GeSn层，直到达到期望的层厚度为止；将包含卤化物气体的蚀刻剂流进所述处理腔室中；和重复所述外延生长和蚀刻步骤，直到具有期望的整体厚度的GeSn层选择性生长在非介电表面上为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
