[发明专利]存储器单元、半导体装置结构、包括此类单元的系统及制造方法有效
| 申请号： | 201380015791.9 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104321819A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;韦恩·I·金尼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了包括具有自由区域的单元核的存储器单元。所述自由区域展现影响所述单元核内的磁化定向的应变。应力源结构可在所述单元核的至少一部分上施加应力以引起所述自由区域的应变状态。本发明还揭示了包括此类存储器单元的半导体装置结构及系统以及用于形成此类存储器单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 半导体 装置 结构 包括 系统 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：至少一个存储器单元，所述至少一个存储器单元包括磁性单元核，所述磁性单元核包括自由区域，所述自由区域展现引起垂直磁化定向的应变。
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