[发明专利]具有至少一个金属生长层的电子结构以及用于制造电子结构的方法有效
| 申请号： | 201380015836.2 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104205395B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 埃尔温·兰;菲利普·施万布;大卫·哈特曼;冈特·施密德;弗洛里安·埃德尔;扎比内·希什科夫斯基;维布克·萨尔费特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/44;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在不同的实施方式中提供一种电子结构(100)，所述电子结构具有至少一个有机层(112)和至少一个生长到有机层(112)上的金属生长层(114)和至少一个在金属生长层(114)上生长的金属层(116)，其中至少一个金属生长层(114)包含锗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 一个 金属 生长 电子 结构 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造电子结构的方法，所述方法具有：形成至少一个有机层；形成至少一个生长到所述有机层上的金属生长层；形成至少一个在所述金属生长层上生长的金属层；其中至少一个所述金属生长层由锗构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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