[发明专利]有机半导体组合物

摘要

本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

主权项

多环芳族烃共聚物PAHC，其包含至少一种具有式(A)的多并苯单体单元和至少一种具有式(B)/(B')的单体单元：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14各自可相同或不同，独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C1‑C40烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40炔基；任选地取代的C3‑C40环烷基；任选地取代的C6‑C40芳基；任选地取代的C1‑C40杂环基；任选地取代的C1‑C40烷氧基；任选地取代的C6‑C40芳氧基；任选地取代的C7‑C40烷基芳氧基；任选地取代的C2‑C40烷氧羰基；任选地取代的C7‑C40芳氧羰基；氰基(‑CN)；‑C(＝O)NR15R16；‑C(＝O)‑R17；‑CO2R18；氰酸酯基(‑OCN)；异氰基(‑NC)；异氰酸酯基(‑NCO)；硫氰酸酯基(‑SCN)或异硫氰酸酯基(‑NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF3基团；卤素基团；‑SR19；‑SO3H；‑SO2R20；‑SF5；任选地取代的甲硅烷基；被‑SiH2R22基团取代的C2‑C10炔基，被‑SiHR22R23基团取代的C2‑C10炔基，或被‑Si(R22)x(R23)y(R24)z基团取代的C2‑C10炔基部分；其中各R22基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C1‑C10烷基，支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C10炔基，取代或未取代的C2‑C20环烷基，取代或未取代的C2‑C10烯基，和取代或未取代的C6‑C20环烷基亚烷基；各R23基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C1‑C10烷基，支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C10炔基，取代或未取代的C2‑C10烯基，取代或未取代的C2‑C20环烷基，和取代或未取代的C6‑C20环烷基亚烷基；R24独立地选自氢，支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C10炔基，取代或未取代的C2‑C20环烷基，取代或未取代的C6‑C20环烷基亚烷基，取代的C5‑C20芳基，取代或未取代的C6‑C20芳基亚烷基，乙酰基，取代或未取代的在环中包含O、N、S和Se的至少一个的C3‑C20杂环；其中x＝1或2；y＝1或2；z＝0或1；且(x+y+z)＝3；其中R15、R16、R18、R19和R20各自独立地代表H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C1‑C40碳基；其中R17代表卤素原子、H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C1‑C40碳基；其中k和l独立地为1或2；其中n'＝1‑3；其中R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10和R11的至少两个为到另外的具有式(A)或(B)/(B')的单体单元的由‑*代表的键，和其中对于茚并芴单体，R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、R6'和R7'可相同或不同，各自独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C1‑C40烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C2‑C40炔基；任选地取代的C3‑C40环烷基；任选地取代的C6‑C40芳基；任选地取代的C1‑C40杂环基；任选地取代的C1‑C40烷氧基；任选地取代的C6‑C40芳氧基；任选地取代的C7‑C40烷基芳氧基；任选地取代的C2‑C40烷氧羰基；任选地取代的C7‑C40芳氧羰基；氰基(‑CN)；‑C(＝O)NR15R16；‑C(＝O)‑R17；‑CO2R18；氰酸酯基(‑OCN)；异氰基(‑NC)；异氰酸酯基(‑NCO)；硫氰酸酯基(‑SCN)或异硫氰酸酯基(‑NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF3基团；卤素基团；‑SR19；‑SO3H；‑SO2R20；‑SF5；任选地取代的甲硅烷基；其中所述PAHC包含20‑40％的单体(A)和60‑80％的单体(B)/(B’)，基于所述共聚物中的所有单体单元(A)和(B)的总量。