[发明专利]具有提高的击穿电压-截止频率乘积的SiGe异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201380016089.4 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104205337B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | SiGe异质结双极晶体管(HBT)(200)的击穿电压(BVCEO)和截止频率(fT)的乘积通过利用具有中空核的掺杂区域(210)增加超出约翰逊限制，其中所述中空核从基极(150)向下延伸至重度掺杂的掩埋集电极区域(120)。掺杂区域和掩埋集电极区域具有相反的掺杂剂类型。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提高 击穿 电压 截止频率 乘积 sige 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极结构，其包括：衬底结构，其具有第一导电型；第一外延结构，其具有顶表面和底表面，所述底表面碰触所述衬底结构；第二导电型的区域，其碰触所述外延结构，并且从所述外延结构的所述顶表面向下延伸通过所述外延结构，以碰触所述衬底结构；第二外延结构，其具有所述第二导电型、顶表面和底表面，所述底表面碰触所述第一外延结构和所述第二导电型的所述区域；其中所述第二导电型的所述区域碰触并且水平围绕所述第一外延结构的中心区域；其中所述第一外延结构的外部区域碰触并且水平围绕所述第二导电型的所述区域；以及其中所述第一外延结构具有掺杂剂浓度，并且所述第二导电型的所述区域具有的掺杂剂浓度大于所述第一外延结构的所述掺杂剂浓度。
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