[发明专利]与化合物半导体的铜互连相关的改善的结构、装置和方法有效
| 申请号： | 201380016231.5 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104221130B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | K.程 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构、装置和方法。在示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的第一钛(Ti)层、设置在第一Ti层之上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层之上的第二Ti层和设置在第二Ti层之上的铜(Cu)层。在另一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的Ti层、设置在第一Ti层之上的第一氮化钛(TiN)层和设置在第一TiN层之上的Cu层。在再一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的堆叠，并且该堆叠包括势垒、设置在势垒之上的Cu层和设置在Cu层之上的第一Ti层。该金属化结构还可包括设置在第一Ti层之上的溅射的钛钨(TiW)层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 互连 相关 改善 结构 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化合物半导体装置的金属化结构，该结构包括：第一钛(Ti)层，设置在与该化合物半导体装置关联的基板之上；第一屏障层，设置在该第一钛(Ti)层之上；第二钛(Ti)层，设置在该第一屏障层之上，所述第二钛(Ti)层与所述第一屏障层的整个顶表面接触；铜(Cu)层，设置在该第二钛(Ti)层之上，该第二钛(Ti)层构造为抑制该铜(Cu)层和该屏障层的合金化；以及设置在该铜(Cu)层之上的第三钛(Ti)层和设置在该第三钛(Ti)层之上的第二屏障层，该第三钛(Ti)层与该铜(Cu)层直接接触，并且该第二屏障层与该第三钛(Ti)层直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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