[发明专利]受光器件有效
申请号: | 201380016380.1 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN104247018B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 爱迪生·古梅斯·柯曼尔古 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种抑制输出端子的数量、不使用开关元件能够同时且以高S/N比对来自各受光部的输出的差值进行运算的受光器件。本发明的受光器件具备包括形成在同一衬底上的第一和第二受光部和第一和第二输出端子的电路图案,第一和第二受光部具有:半导体层叠部,其形成具有第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的光电二极管结构;以及第一电极和第二电极,其分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层相连接,第一受光部和第二受光部的第一电极彼此连接,第一受光部的第二电极与第一输出端子相连接,第二受光部的第二电极与第二输出端子相连接,在第一和第二输出端子之间输出由第一受光部和第二受光部产生的信号的差。 | ||
搜索关键词: | 器件 | ||
【主权项】:
一种受光器件,具备包括形成在同一衬底上的第一受光部和第二受光部以及第一输出端子和第二输出端子的电路图案,该受光器件的特征在于,上述第一受光部和上述第二受光部分别具有:半导体层叠部,其形成具有第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的PN结或者PIN结的光电二极管结构;第一电极,其与上述第一导电型半导体层相连接;以及第二电极,其与上述第二导电型半导体层相连接,其中,上述第一受光部的第一电极与上述第二受光部的第一电极相连接,上述第一受光部的第二电极与上述第一输出端子相连接,上述第二受光部的第二电极与上述第二输出端子相连接,在上述第一输出端子与上述第二输出端子之间输出在上述第一受光部和上述第二受光部中产生的信号的差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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