[发明专利]用于制备含硅的金属间化合物的方法及由其制备的金属间化合物无效

专利信息
申请号: 201380016411.3 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN104203820A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 阿斯维尼·达什;D·卡佐利斯 申请(专利权)人: 道康宁公司
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06;C01B33/08;C01B33/107;C22C1/04;C22C29/18;C22C1/10;C22C1/05
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 高瑜;郑霞
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了金属间化合物,所述金属间化合物,诸如金属硅化物,例如PdSi和/或Pd2Si可在两步方法中选择性制备,所述两步方法包括如下步骤:(1)用金属卤化物真空浸渍硅,和(2)对步骤(1)的产物进行球磨。
搜索关键词: 用于 制备 金属 化合物 方法
【主权项】:
一种方法,包括:(1)在硅上真空浸渍金属卤化物,其中所述金属卤化物具有式MXq,其中每个M独立地为选自Ni、Cu、Pd、Pt、Ag、Au、Fe、Co、Rh、Ir、Fe、Ru、Os、Mn、Re、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr和Hf的金属原子;每个X独立地为卤素原子,并且下标q具有与为M所选的所述金属原子的化合价相匹配的值,从而产生包含MzSiwXzq的混合物,其中z表示M的所述金属原子的相对摩尔量,w表示硅原子的相对摩尔量,并且zq表示所述混合物中的所述卤素原子的相对摩尔量;以及(2)在惰性气氛下机械化学地处理所述混合物,从而产生包含如下的氧化还原反应产物:(i)式MzSi(w‑y/4)X(zq‑y)的金属间化合物,其中y表示在步骤2期间从所述混合物移除的卤素原子的摩尔量,并且y<zq;以及(ii)包含SiX4的副产物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于道康宁公司;,未经道康宁公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380016411.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top