[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置

摘要

半导体装置(1000A)具备：具有氧化物半导体层(9)的TFT(100A)；辅助电容配线(12)；和与辅助电容配线(12)电连接的第一透明电极(15)。第一透明电极(15)具有在从基板(1)的法线方向看时与第一连接层(8x)重叠的部分。与第一连接层(8x)重叠的部分具有在从基板(1)的法线方向看时，对称点位于连接开口部(CH2)内的点对称的形状。第一透明电极(15)不与第一连接层(8x)直接接触。第一透明电极(15)的一部分与第二连接层(8x)直接接触。第一连接层(8x)与第二连接层(19a)直接接触。第一透明电极(15)通过第一连接层(8x)以及第二连接层(19a)与辅助电容配线(12)电连接。

主权项

一种半导体装置，其具备基板和在所述基板上形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有：栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；和与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极，所述半导体装置的特征在于，还具备：层间绝缘层，该层间绝缘层包括与所述源极电极和所述漏极电极接触的保护层；在所述层间绝缘层上形成的第一透明电极；在所述第一透明电极上形成的电介质层；在所述电介质层上，以隔着所述电介质层与所述第一透明电极的至少一部分重叠的方式形成的第二透明电极；与所述栅极电极由相同的导电膜形成的辅助电容配线；第一连接层，该第一连接层与所述辅助电容配线电连接，并且与所述源极电极或所述漏极电极由相同的导电膜形成；和第二连接层，该第二连接层与所述第二透明电极由相同的导电膜形成，并且不与所述第二透明电极电连接，位于所述第一连接层与所述第二连接层之间的绝缘层，具有使所述第二连接层与所述第一透明电极以及所述第一连接层电连接的连接开口部，在从所述基板的法线方向看时，所述第二连接层和所述连接开口部分别与所述第一连接层的至少一部分重叠，所述第一透明电极具有在从所述基板的法线方向看时与所述第一连接层重叠的部分，与所述第一连接层重叠的部分具有在从所述基板的法线方向看时，对称点位于所述连接开口部内的点对称的形状，所述第一透明电极不与所述第一连接层直接接触，所述第一透明电极的一部分与所述第二连接层直接接触，所述第一连接层与所述第二连接层直接接触，所述第一透明电极通过所述第一连接层以及所述第二连接层与所述辅助电容配线电连接。