[发明专利]具有分离氮化物存储层的SONOS堆栈有效
| 申请号： | 201380016882.4 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN104254921B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 斐德列克·杰能;克里希纳斯瓦米·库马尔 | 申请（专利权）人： | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了包括分离电荷俘获区的非平面存储设备和形成所述非平面存储设备的方法的实施例。通常所述设备包括：由覆盖在衬底的表面的半导体材料的薄膜形成的沟道，所述沟道连接存储设备的源极和漏极；覆盖沟道的隧道氧化物；覆盖隧道氧化物的分离电荷俘获区，分离电荷俘获区包括底部电荷俘获层和顶部电荷俘获层，底部电荷俘获层包括更靠近隧道氧化物的氮化物，其中，底部电荷俘获层被包含氧化物的薄的反隧穿层从顶部电荷俘获层分开。本申请还公开了其它的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 氮化物 存储 sonos 堆栈 | ||
【主权项】：
一种存储设备，包括：沟道，所述沟道由覆盖衬底上的表面的半导体材料的薄膜形成，所述沟道连接所述存储设备的源极和漏极；隧道氧化物，所述隧道氧化物覆盖所述沟道；分离电荷俘获区，所述分离电荷俘获区覆盖所述隧道氧化物，所述分离电荷俘获区包括底部电荷俘获层和顶部电荷俘获层，所述底部电荷俘获层包括更靠近于所述隧道氧化物的氮化物，其中所述底部电荷俘获层被包括氧化物的薄的反隧穿层从所述顶部电荷俘获层分开。
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