[发明专利]沉积腔室的边缘环有效
申请号: | 201380017145.6 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104205295B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 阿希什·戈埃尔;阿纳塔·苏比玛尼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中,设置有边缘环。边缘环包括环形主体,环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面;第一凸起构件,第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出;第二凸起构件,第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出,并通过第一凹陷与第一凸起构件分离;和第三凸起构件,第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出,并通过第二凹陷分离,第二凹陷包括倾斜表面,倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。 | ||
搜索关键词: | 沉积 边缘 | ||
【主权项】:
一种边缘环,包括:环形主体,所述环形主体具有内周边边缘、第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一凸起构件,所述第一凸起构件邻近于所述内周边边缘并从所述第一表面实质上正交地延伸出;第二凸起构件,所述第二凸起构件从邻近于所述第一凸起构件的所述第二表面延伸出,并通过第一凹陷与所述第一凸起构件分离,所述第一凹陷具有与所述第一表面平行的平坦表面,所述平坦表面与所述第二凸起构件的倾斜表面直接相交;和第三凸起构件,所述第三凸起构件从邻近于所述第二凸起构件的所述第二表面延伸出,并通过第二凹陷分离,所述第二凹陷包括锥形平坦表面,所述锥形平坦表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值,所述锥形平坦表面提供一入射角,所述锥形平坦表面配置成沿整个所述锥形平坦表面径向向内导向光能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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