[发明专利]选择性外延生长装置及集群设备有效
| 申请号： | 201380017310.8 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104246977B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴用城;李成光;金东烈;金基勋 | 申请（专利权）人： | 国际电气高丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜燕;王卫忠 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种选择性外延生长装置。本发明的选择性外延生长装置包括：工艺管，包括内管和包围所述内管的外管，所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元，加热组件，包围所述工艺管，侧部喷嘴部，铅垂设置于所述工艺管的内侧；所述侧部喷嘴部包括第一侧部喷嘴及第二侧部喷嘴，所述第一侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的蚀刻气体，所述第二侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的沉积气体。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 外延 生长 装置 集群 设备 | ||
【主权项】：
一种选择性外延生长装置，其特征在于，包括：工艺管，包括内管和包围所述内管的外管，所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元，加热组件，包围所述工艺管，侧部喷嘴部，铅垂设置于所述工艺管的内侧；所述侧部喷嘴部包括第一侧部喷嘴及第二侧部喷嘴，所述第一侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的蚀刻气体，所述第二侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的沉积气体；所述工艺管在所述外管的靠近凸缘的一侧设置有排气口，所述排气口为了对内部进行减压而强制吸入内部空气，所述内管形成为上部封闭的圆顶形状，在所述内管的一侧面还包括切开部，该切开部与所述第一侧部喷嘴设置于同一直线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
