[发明专利]激光退火装置及激光退火方法有效
申请号: | 201380017446.9 | 申请日: | 2013-03-08 |
公开(公告)号: | CN104272434B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01S3/00;H01S3/10;H01S3/23 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司11472 | 代理人: | 王宇杨,杨青 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种激光退火装置及激光退火方法,其向非晶硅膜照射激光以进行退火处理,该激光退火装置具备产生具有恒定的脉冲宽度的恒定波长的第一激光(L1)的第一脉冲激光器(6)、产生脉冲宽度及波长比所述第一激光(L1)更长的第二激光(L2)的第二脉冲激光器(7)、将所述第一激光(L1)和所述第二激光(L2)合成为同一光轴的合成装置(8)、以及,对所述第一脉冲激光器及第二脉冲激光器(6、7)作用从而控制所述第一及第二激光(L1、L2)的产生时间的控制装置(3),所述控制装置(3)控制所述第一脉冲激光器(6),使得所述第一激光(L1)在所述第二激光(L2)的脉冲宽度内的预定时间产生。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,向非晶硅膜照射激光以进行退火处理,其特征在于,具备:第一脉冲激光器,其产生第一激光;第二脉冲激光器,其产生脉冲宽度及波长比所述第一激光更长的第二激光,并且具备可选择性地降低所述第二激光的特定时间内的能量从而使其均匀的激光用衰减器,该激光用衰减器由配置成为正交尼科尔棱镜的两个偏振光元件、配置于所述两个偏振光元件之间,并通过施加电压而使通过内部的激光的偏振面旋转的光电元件、以及,在所述第二激光通过所述光电元件中时,对该光电元件的施加电压值及施加时间进行控制的控制部构成;合成装置,其将所述第一激光和所述第二激光合成为同一光轴;控制装置,其作用于所述第一及第二脉冲激光器从而控制所述第一及第二激光的产生时间,所述控制装置,通过在所述第二激光的脉冲宽度内调整所述第一激光的产生时间,调整适用于退火处理的激光的照射能量,从而能够通过所述第一激光将所述非晶硅膜的表面溶融之后,再通过所述第二激光将所述非晶硅膜溶融至深部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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