[发明专利]端部处理器有效
申请号: | 201380017817.3 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN104272449B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 金剑平;王利光 | 申请(专利权)人: | 联达科技设备私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/07;B25J15/06 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟,郭婧婧 |
地址: | 新加坡加冷盆地*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于加工器件的端部处理器及其方法。该端部处理器包括与器械相配套的配套部分和用于支撑位于支撑表面的薄膜框架的支撑部分。支撑部分包括支撑底座部件,从支撑底座部件延伸的延伸部件,和支撑表面上的真空端口,以有助于支撑表面上的薄膜框架的配套。每个真空端口包括与至少一个真空源流体连通的至少一个真空开口。真空端口被配置为主要可维持最细长的轮廓和最强的吸力。 | ||
搜索关键词: | 处理器 | ||
【主权项】:
一种端部处理器,包括:与器械相配套的配套部分;以及支撑部分,所述支撑部分适合于为所述支撑部分的支撑表面上的薄膜或薄膜框架提供支撑,所述支撑部分包括:支撑底座部分,从支撑底座部分延伸而出的延伸部件,以及至少一个真空端口的配置,其中所述至少一个真空端口的配置包括至少一个真空端口以分布吸力,其中,所述至少一个真空端口由至少一个位于支撑部的支撑表面的压痕组成,至少一个真空开口与至少一个真空源流体连通,以用于为各个真空开口施加不同的吸力,其中所述至少一个真空开口设置在至少一个压痕的每一个之内,其中所述压痕具有面积相对至少一个真空开口大的表面开口,从而当真空源激活时,增加所述薄膜与薄膜框架上施加的吸力,并且其中所述至少一个真空端口的配置使得支撑部分的剩余表面不凹入,继续为支撑表面上的薄膜或薄膜框架提供直接支撑,由此在至少一个真空端口的配置在薄膜或薄膜框架上提供分布的放大吸力时,降低薄膜的变形和扭曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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