[发明专利]绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置有效

申请号：	201380017829.6	申请日：	2013-03-18
公开（公告）号：	CN104185898B	公开（公告）日：	2017-03-15
发明（设计）人：	冈崎健一;佐佐木俊成;横山周平;羽持贵士	申请（专利权）人：	株式会社半导体能源研究所
主分类号：	H01L21/318	分类号：	H01L21/318;C23C16/42;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8247;H01L23/532;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/417;H01L
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司72001	代理人：	叶晓勇,姜甜
地址：	日本神奈***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。
搜索关键词：	绝缘半导体装置制造方法以及
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【主权项】：

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：将安装在处理室内的衬底的温度保持为第一温度，将原料气体导入所述处理室中，将高频功率供应到所述处理室内的电极，以在所述衬底上形成绝缘膜，其中，所述第一温度是180℃以上且260℃以下，当导入所述原料气体时，将所述处理室中的压力设定为100Pa以上且250Pa以下，所述高频功率为0.17W/cm2以上且0.5W/cm2以下，并且，所述绝缘膜包含通过加热而脱离的氧。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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