[发明专利]具有约瑟夫森触点的组件及其制造方法

摘要

建议具有约瑟夫森触点的电子组件以及制造方法。所述组件包括衬底（1.1）以及设置在所述衬底上、由高温超导材料（1.4）制成的层，其中所述衬底在其表面中具有至少一个阶梯边缘，其中所述层在所述阶梯边缘处具有晶界（1.5），所述晶界（1.5）构成所述约瑟夫森触点的一个或多个弱链接。根据本发明，在所述阶梯边缘的两侧上在高温超导层的层面中通过衬底的纹理化部和/或设置在所述衬底和所述高温超导层之间的至少一个缓冲层的纹理化部来将a晶轴和/或b晶轴定向成以直至最高10°的偏差垂直于所述晶界。这在技术上例如能够通过如下方式来实现图形外延地生长HTSL层。通过相同晶轴分别垂直于阶梯边缘朝着阶梯边缘的两侧定向，最大的超电流能够通过由阶梯边缘感应的晶界并且因而流经约瑟夫森触点。

主权项

一种具有约瑟夫森触点的组件，所述组件包括衬底以及设置在所述衬底上、由高温超导材料制成的功能层，其中所述衬底在其表面中具有至少一个阶梯边缘，其中所述功能层在所述阶梯边缘处具有晶界，所述晶界构成所述约瑟夫森触点的弱链接，其中在所述阶梯边缘的两侧上在所述高温超导功能层的层面中通过所述衬底的纹理化部和/或设置在所述衬底和所述高温超导功能层之间的至少一个缓冲层的纹理化部来将a晶轴和/或b晶轴定向成以直至最高10°的偏差垂直于所述晶界，其特征在于：所述纹理化部包括平均高度或深度在1纳米和10纳米之间的突起部和/或凹部。