[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

主权项

半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法包含通过下述工序，在半导体层或基材的第1区域形成第1掺杂层：提供具有下述(i)和(ii)的层合体：(i)第1和/或第2钝化层，其配置于所述半导体层或基材上；和(ii)第1掺杂剂注入层，其位于第1钝化层的上侧、第2钝化层的下侧，配置于与所述第1区域对应的区域，其由第1粒子形成，所述第1粒子本质上由与所述半导体层或基材相同的元素形成，且由p型或n型掺杂剂掺杂；以及对所述层合体的与所述第1掺杂剂注入层对应的区域进行光照射，由此将所述第1区域由所述p型或n型掺杂剂掺杂，形成所述第1掺杂层，同时至少部分除去所述第1掺杂剂注入层以及所述第1和/或第2钝化层中与所述掺杂剂注入层对应的区域。