[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置(100A)具有在基板(2)之上形成的栅极电极(3)；在栅极电极之上形成的栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，该氧化物层(50)形成在栅极绝缘层之上，包含半导体区域(51)和导电体区域(55)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极之上形成的保护层(11)；和在保护层之上形成的透明电极(9)。透明电极的至少一部分隔着保护层与导电体区域重叠，导电体区域的上表面与具有使氧化物层中包含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(61)接触。还原绝缘层不与半导体区域的沟道区域接触。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的栅极电极；在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；氧化物层，该氧化物层形成在所述栅极绝缘层之上，包含半导体区域和导电体区域，所述半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；与所述半导体区域电连接的源极电极和漏极电极；在所述源极电极和所述漏极电极之上形成的保护层；和在所述保护层之上形成的透明电极，所述透明电极的至少一部分隔着所述保护层与所述导电体区域重叠，所述导电体区域的上表面与具有使所述氧化物层中包含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层接触，所述还原绝缘层不与所述半导体区域的沟道区域接触。