[发明专利]具有纳米线的光电子半导体结构以及制造这种结构的方法

摘要

本发明涉及一种光电子半导体结构(100)，所述光电子半导体结构(100)包括包括第一表面(111)的半导体基底(110)、成核层(120)和与所述成核层接触的纳米线(160)，所述成核层(120)由禁能带高于5eV的宽禁带半导体形成。所述成核层(120)覆盖所述第一表面(111)的被称为成核部分的部分，所述第一表面(111)的不被所述成核层(120)覆盖的部分(114)被称为自由部分。所述结构还包括与所述基底(110)的自由部分(114)接触的导电层(141)，所述导电层还围绕所述纳米线(160)的外周与所述纳米线接触。本发明还涉及这种结构(100)的制造方法。

主权项

一种光电子半导体结构(100)，包括：‑具有第一表面和第二表面(111，112)的半导体基底(110)，‑与所述基底(110)的第一表面(111)接触的成核层(120)，所述成核层为具有高于5eV的禁能带的宽禁带半导体，纳米线(130)与所述成核层接触，其中，所述结构(100)的特征在于，所述成核层(120)由至少一个垫形成并且在所述第一表面(111)的被称为成核表面的部分(113)上覆盖所述基底(110)的第一表面(111)，其中，所述第一表面(111)的不被所述成核层(120)覆盖的部分(114)被称为自由部分，其中，所述结构还包括与所述基底(110)的自由部分(114)接触的导电层(141)，并且其中，所述导电层还在所述纳米线(130)的外周上与所述纳米线接触，以便减小所述半导体基底(110)和所述纳米线(130)之间的界面电阻，其中，所述光电子半导体结构(100)进一步包括与半导体基底(110)的第二表面(112)电接触的第一电触头(151)和在所述纳米线的与所述基底(110)相反的末端上与所述纳米线(130)接触的第二电触头(152)，以便允许所述纳米线(130)的极化，其中，所述导电层(141)完全被由绝缘材料制成的层(142，170)覆盖。