[发明专利]用于控制等离子体处理室中的等离子体的方法和装置有效
申请号: | 201380018698.3 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN104220636A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯;约翰·霍兰;亚历克斯·帕特森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于控制具有至少一个电感耦合等离子体(ICP)处理室的等离子体处理系统中的等离子体的方法和装置。ICP室中至少使用第一/中心射频线圈、相对于第一/中心射频线圈同心地设置的第二/边缘射频线圈、和至少具有第三/中部射频线圈的射频线圈组,第三/中部射频线圈相对于第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈以使第三/中部射频线圈被设置在第一/中心射频线圈与第二/边缘射频线圈之间的方式同心地设置。在处理期间,在相同方向上将射频电流提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈,同时在相反方向上(相对于提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈的电流的方向)将射频电流提供给第三/中部射频线圈。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 等离子体 处理 中的 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种至少具有用于处理衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统,其包括:用于在所述处理期间件支撑所述衬底的工件固定器;设置在所述工件固定器上方的介电窗;设置在所述介电窗上方的第一射频线圈;相对于所述第一射频线圈同心地设置的第二射频线圈,所述第二射频线圈也被设置在所述介电窗的上方;和射频线圈组,其至少包括相对于所述第一射频线圈和所述第二射频线圈同心地设置的第三射频线圈,所述第三射频线圈被设置在所述第一射频线圈和所述第二射频线圈之间,其中提供给所述第一射频线圈的第一射频电流和提供给所述第二射频线圈的第二射频电流两者均是在第一方向上,并且提供给所述第三射频线圈的第三射频电流是在与所述第一方向相反的第二方向上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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