[发明专利]用于CMP后去除的组合物及使用方法无效
| 申请号： | 201380018815.6 | 申请日： | 2013-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104508072A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;杰弗里·A·巴尼斯;埃马纽尔·I·库珀;孙来生;伊丽莎白·托马斯;杰森·张 | 申请（专利权）人： | 安格斯公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 杨青;穆德骏 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及从在其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的无胺组合物和方法。所述无胺组合物优选包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物和水，且具有在约2.5～约11.5范围内的pH。所述组合物实现了从所述微电子器件的表面高度有效地清洁所述CMP后残留物和污染材料，而不损害低-k介电材料或铜互连材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmp 去除 组合 使用方法 | ||
【主权项】：
一种用于从表面上清洁残留物和污染物的组合物，所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物、至少一种缓冲剂和水，其中所述组合物基本不含胺、季碱、含有氟化物的来源和在化学机械抛光过程中通常使用的研磨材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安格斯公司;，未经安格斯公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380018815.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
