[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置有效
| 申请号： | 201380018848.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104205316A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 田中敦之;辻崇 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 干欣颖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明形成作为对在半导体基板(10)内部制作的芯片的区域(11A)进行规定的坐标位置的基准的标记(11(11a～11c))，检测半导体基板(10)上的结晶缺陷(12)。然后基于标记(11(11a～11c))，对检测到的结晶缺陷(12)的坐标位置进行检测。由此，能检测出制作在半导体基板(10)上的半导体芯片中的哪个芯片的哪个位置含有结晶缺陷(12)。由此，能容易地检测出半导体基板上结晶缺陷的位置包含在哪个半导体装置的哪个位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成作为对在半导体基板内部制作的芯片的区域进行规定的坐标位置的基准的标记的工序；检测所述半导体基板上的结晶缺陷的工序；以及基于所述标记对检测出的所述结晶缺陷的坐标位置进行检测的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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