[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

在SiC基板(11)的正面形成包含钛、钨、钼、铬中的任一种金属的层，通过加热在SiC基板(11)上形成肖特基电极(16)。利用铝或者含硅的铝，在肖特基电极(16)的表面形成表面电极(17)。在形成表面电极(17)时，以100℃以上500℃以下的温度进行加热，因此表面电极(17)对于肖特基电极(16)的凹凸覆盖良好，表面电极(17)还具有适合于自动引线接合装置进行图像识别的反射率。如此一来，能够形成对肖特基接触的凹凸覆盖良好、并且具有最适于定位等图像识别的反射率的表面电极。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述制造方法在碳化硅半导体基板上形成电极结构，其特征在于，在所述碳化硅半导体基板的正面形成肖特基层，所述肖特基层包含钛、钨、钼、铬中的任一种金属，通过加热所述肖特基层形成肖特基电极，所述肖特基电极具有与所述碳化硅半导体基板接触的肖特基接触，在所述碳化硅半导体基板的背面侧，形成背面电极结构，所述背面电极结构由金属层的背面电极和包含碳化钛的硅化镍层的欧姆电极构成，利用铝或者含硅的铝，在所述肖特基电极的表面形成表面电极，在形成所述表面电极时，以适合于以下条件的温度范围进行加热：该表面电极对所述肖特基电极的凹凸良好地进行覆盖，并且所述表面电极的反射率为80％以下，所述硅化镍层内部所包含的部分碳从所述硅化镍层的表面析出，形成碳层，并通过加热处理，去除所述碳层。