[发明专利]磁性传感器装置有效
申请号: | 201380019119.7 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN104204835B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 尾込智和;下畑贤司;浅野启行 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/02;H01L43/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈力奕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于,在使具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件相隔微小距离的非接触状态下,稳定且灵敏度优异地检测被检测体的磁性图案。磁铁(6)配置于被检测体(5)的传送路径即中空部(2)的一个面,且沿着被检测体(5)的传送方向具有规定长度的磁极。磁性体(8)沿着传送方向与磁铁(6)隔着中空部(2)相对配置,生成与形成于磁性体(8)和磁铁(6)之间的中空部(2)交叉的交叉磁场。各向异性磁阻效应元件(10)配置在磁性体载体(8)的面对中空部(2)的一侧,在传送方向上具有磁敏作用。 | ||
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【主权项】:
一种磁性传感器装置,其特征在于,包括:磁铁,该磁铁配置于被检测体的传送路径的一个面,且沿所述被检测体的传送方向具有规定长度的磁极;软磁性体,该软磁性体沿着所述传送方向与所述磁铁隔着所述传送路径相对配置,该软磁性体在所述传送方向上的长度比所述磁铁在所述传送方向上的长度要长,并生成与形成于该软磁性体和所述磁铁之间的所述传送路径交叉的交叉磁场;以及磁阻效应元件,该磁阻效应元件固定在所述软磁性体的面向所述传送路径一侧的表面,在所述传送方向上具有磁敏作用,所述磁阻效应元件从所述磁铁在所述传送方向上的中心向所述传送方向的任一侧偏移,并配置于以下位置:所述交叉磁场沿所述传送方向的分量的大小为所述磁阻效应元件本身沿所述传送方向的饱和磁场强度以下,且不包括零点。
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