[发明专利]硅片太阳能电池的非酸性各向同性回蚀无效
| 申请号： | 201380019163.8 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104221167A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 普拉伯·康蒂·巴苏;马太·本杰明·波勒兰德;德巴佑蒂·萨郎奇;维诺德哈·珊穆伽姆 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C09K13/02 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供了太阳能电池的制造方法。所述方法包括使用包含氢氧化钾(KOH)和次氯酸钠(NaOCl)的溶液蚀刻硅片太阳能电池的掺杂表面。可替代地，所述溶液可包含氢氧化钠(NaOH)和NaOCl。在一个方面中，使用所述KOH∶NaOCl溶液回蚀所述太阳能电池的发射体的步骤与多孔硅去除同时进行。在另一方面中，使用所述KOH∶NaOCl溶液回蚀所述太阳能电池的发射体的步骤还包括PSG去除。并且在另一方面中，使用所述KOH∶NaOCl溶液回蚀所述太阳能电池的发射体的步骤与抛光同时进行。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 太阳能电池 酸性 各向同性 | ||
【主权项】：
硅片太阳能电池的制造方法，其包括：使用包含次氯酸钠(NaOCl)以及选自包含氢氧化钠(NaOH)和氢氧化钾(KOH)的组的氢氧化物的溶液蚀刻所述硅片太阳能电池的掺杂表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
