[发明专利]导电性糊料和芯片焊接方法有效
| 申请号： | 201380019429.9 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104246910A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 堀薰夫;古井裕彦;藤田晶 | 申请（专利权）人： | 化研科技株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01B1/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法，所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子，从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性，并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1～30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等，将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S1，将银粒子烧结处理后(250℃，60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时，使S2/S1的值为0.2～0.8范围内的值。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 糊料 芯片 焊接 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性糊料，其特征在于，是含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1～30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料，将所述银粒子烧结处理前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S1，将所述银粒子以250℃、60分钟烧结处理后的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时，S2/S1的值为0.2～0.8范围内的值。
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