[发明专利]导电性糊料和芯片焊接方法有效

专利信息
申请号: 201380019429.9 申请日: 2013-08-20
公开(公告)号: CN104246910A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 堀薰夫;古井裕彦;藤田晶 申请(专利权)人: 化研科技株式会社
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01B1/00;H01L21/52
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法,所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子,从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性,并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1~30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等,将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S1,将银粒子烧结处理后(250℃,60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时,使S2/S1的值为0.2~0.8范围内的值。
搜索关键词: 导电性 糊料 芯片 焊接 方法
【主权项】:
一种导电性糊料,其特征在于,是含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1~30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料,将所述银粒子烧结处理前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S1,将所述银粒子以250℃、60分钟烧结处理后的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时,S2/S1的值为0.2~0.8范围内的值。
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