[发明专利]形成熔融耦合器的方法在审
| 申请号： | 201380019715.5 | 申请日： | 2013-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104246559A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | T.P.鲍恩 | 申请（专利权）人： | 泰科电子公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吴艳 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成耦合器(120)的方法包括以下步骤：(a)加热具有多个芯部(201)和初始直径(di)的光纤(101)的部分(110)；以及(b)在所述部分上施加拉力(103)，使得该部分拉伸，从而缩小该初始直径(di)至足以引起光信号在该多个芯部中的一个或多个中传播以离开它们相应的芯部的缩小的直径(dr)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 熔融 耦合器 方法 | ||
【主权项】：
一种形成耦合器(120)的方法(100)，所述方法包括以下步骤：加热具有多个芯部(201)和初始直径(di)的光纤(101)的部分(110)；以及在所述部分上施加拉力(103)，使得所述部分拉伸，从而缩小所述初始直径(di)至足以引起光信号在所述多个芯部中的一个或多个中传播以离开它们相应的芯部的缩小的直径(dr)。
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