[发明专利]基于外延生长来制造半导体设备的方法在审
| 申请号： | 201380019784.6 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104221129A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 孙燕亭;塞巴斯蒂安·卢尔杜多斯 | 申请（专利权）人： | 坦德姆太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 11338 | 代理人： | 张习义;李茂兰 |
| 地址： | 瑞典索*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 制造半导体设备的方法以及通过其制造的半导体，包括使具备具有非常少晶体缺陷的半导体晶体的突变异质结在异质衬底(50)上从种晶岛状台面上生长，以用作发光和光伏设备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外延 生长 制造 半导体设备 方法 | ||
【主权项】：
制造具有异质结构的半导体设备的方法，所述方法包括下述步骤：‑在异质半导体衬底(50)的前侧(50a)上形成(100a)缓冲层(52)和晶种层(54)，‑处理(100b)以提供所述缓冲层(52)和所述晶种层(54)的至少一个晶种岛状台面(51)，‑在所述至少一个晶种岛状台面(51)上形成(101)绝缘掩模层(62、72)，具有开孔(58、58b)的所述绝缘掩模层(62、72)设置在所述晶种岛状台面(51)上，特征在于，‑使具有彼此生长为一体的连续半导体区域(80I、80II、80III)的半导体生长层(80)从所述开孔(58、58b)外延、垂直和横向生长(103)，其中具有高缺陷密度的第一区域(80I)仅仅从开孔(58、58b)垂直生长，同时其他区域(80II、80III)生长直到至少一个具有低缺陷密度的半导体区域(80III)与所述半导体衬底(50)的所述前侧(50a)或所述绝缘掩模层(72)聚结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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