[发明专利]沉积锰和氮化锰的方法有效
| 申请号： | 201380019857.1 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN104221132B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 汤静;李哲峰;马伯方;戴维·汤普森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种形成含锰膜的方法，所述方法包括以下步骤：提供基板；和将所述基板暴露于第一前驱物和反应物，所述第一前驱物包括含锰有机金属化合物以沉积含锰膜，其中所述反应物为氨和氢中的一种或更多种，并且所述含锰有机金属化合物的化学式如下：其中每一个A为独立地选自碳或硅，且每一个R为独立地选自氢、甲基、取代的烷烃或未取代的烷烃、支链烷烃或非支链烷烃、取代的烯烃或未取代的烯烃、支链烯烃或非支链烯烃、取代的炔烃或未取代的炔烃、支链炔烃或非支链炔烃或取代的芳烃或未取代的芳烃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
