[发明专利]电极制造方法有效
| 申请号： | 201380019949.X | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104303344B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 平井政则;浮田明生;井手敬治 | 申请（专利权）人： | NEC能源元器件株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/1391 | 分类号： | H01M4/1391;H01M2/26;H01M4/13;H01M4/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘剑颖 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 技术问题：要提供一种电极，即使在相对低温条件下压缩该形成于类似薄片的集电极上的电极，也确保具有良好的性能。技术方案：一种电极制造方法，包括步骤：在集电极的非涂覆区域之外的表面上涂覆活性材料层，以形成涂覆区域；干燥所涂覆的活性材料层；通过压缩来提高所干燥的活性材料层的密度，以形成高密度区域。在压缩步骤中，在与活性材料层的非涂覆区域相邻的条状涂覆区域中形成密度低于所述高密度区域的低密度区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极制造方法，包括步骤：在集电极的非涂覆区域之外的表面上涂覆活性材料层，以形成涂覆区域；干燥所涂覆的活性材料层；通过压缩来提高所干燥的活性材料层的密度，形成空隙为17％～47％的高密度区域，其中在压缩步骤中，在与所述活性材料层的非涂覆区域相邻的条状涂覆区域中形成密度低于所述高密度区域的低密度区域，其中，从所述集电极的非涂覆区域起测量的低密度区域长度为2mm至15mm，其中，从横截面查看，所述低密度区域是厚度小于所述高密度区域的薄涂覆层，并且延续至所述高密度区域与所述薄涂覆层之间的边界，并在此形成阶梯部，其中，在所述低密度区域中布置绝缘部件。
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