[发明专利]设置有在其后侧上具有图案的基板的发光二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201380020127.3 申请日: 2013-04-15
公开(公告)号: CN104396032A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 李贞勋;赵大成;南基范 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/22
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;谭昌驰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种制造发光二极管的方法。首先,设置具有前侧和后侧的基板。在后侧上形成不平坦的图案。通过在具有不平坦的图案的基板的前侧上依次堆叠第一半导体层、有源层和第二半导体层来形成发光半导体层。将发光半导体层和基板分成多个发光单元。
搜索关键词: 设置 其后 具有 图案 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造发光二极管的方法,所述方法包括:设置具有前侧和后侧的基板;在后侧中形成不平坦的图案;通过在后侧中具有不平坦的图案的基板的前侧上依次堆叠第一型半导体层、有源层和第二型半导体层来形成发光半导体层;以及将发光半导体层和基板分成多个发光单元。
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