[发明专利]制造供高效率氮化物发光二极体用的纳米图案化基材的方法有效
| 申请号： | 201380020378.1 | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104221168B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 车爀鎭;李宪;崔殷书 | 申请（专利权）人： | 互耐普勒斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人： | 刘祖芬 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造供发光二极体用的基材的方法，该方法包括一凸部形成步骤及一结晶化步骤。根据该发光二极体的表面，可显著地增进光撷取且可经济地形成纳米至微米尺寸图样。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高效率 氮化物 发光 二极 体用 纳米 图案 基材 方法 | ||
【主权项】：
一种制造于其上形成有纳米至微米尺寸图案的供高效率氮化物发光二极体用的基材的方法，其包含：一凸部形成步骤，使用纳米印刷方法（nano printing method）或纳米印制方法（nano imprinting method）形成一凸部在该基材的一个表面上，该凸部包括选自以下群组的任一者：SiO2、Si3N4、及其组合；一结晶化步骤，退火处理该包括凸部的基材，及结晶化该纳米至微米尺寸图案的凸部；其中，在该凸部形成步骤中，该基材通过UV臭氧加工、锯脂鲤（piranha）溶液加工、O2加工、或电浆加工进行加工处理，以增进对凸部的黏着力，该纳米至微米尺寸图案包含一底部及一凸部，于凸部与底部接触的表面处，凸部的截面直径为该发光二极体发光波长的0.1至3倍，该纳米至微米尺寸图案的该底部及该凸部交错重复形成，且一第一凸部与邻接该第一凸部的第二凸部的形成循环该发光二极体发光波长的0.2至6倍，以及该纳米至微米尺寸图案重复包含选自以下群组的任一者：半球形、三角锥形、四角锥形、六角锥形、圆锥形、及截球形。
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