[发明专利]制造供高效率氮化物发光二极体用的纳米图案化基材的方法在审
| 申请号： | 201380020419.7 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104221169A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 车爀鎭;李宪;崔殷书 | 申请（专利权）人： | 互耐普勒斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 陈晓娟 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造氮化物发光二极体方法。根据该方法，制造具有纳米至微米尺寸图案的一基材，该纳米至微米尺寸图案包括一底部及一凸部，该凸部的较低端部直径该发光二极体发光波长的0.1至3倍，以及制造形成于该基材上的一缓冲层，其为氮化镓（GaN）层。根据该制造氮化物发光二极体方法，可显著增进光撷取，且可经济的形成该纳米至微米尺寸图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高效率 氮化物 发光 二极 体用 纳米 图案 基材 方法 | ||
【主权项】：
一种制造于其上形成有纳米至微米尺寸图案供高效率氮化物发光二极体用的基材的方法，其包含：一第一步骤，形成一抗侵蚀（corrosion‑proof）的抵抗薄膜在一基材的一个表面上或一纳米模具的一个表面上；一第二步骤，面对该抗侵蚀的抵抗薄膜，定位并压印该纳米模具或该基材，并且形成具有该纳米至微米尺寸图案的该抗侵蚀的抵抗薄膜在该基材上；一第三步骤，蚀刻该基材，于其上形成有该纳米至微米尺寸图案；以及一第四步骤，退火处理该经蚀刻的基材，其中，该纳米至微米尺寸图案包含一底部及一凸部，该凸部的较低端部直径该发光二极体发光波长的0.1至3倍，该纳米至微米尺寸图案的该底部及该凸部交错形成，且一第一凸部与邻接该第一凸部的第二凸部间的距离为该发光二极体发光波长的0.2至6倍，以及该纳米至微米尺寸图案重复包含选自以下群组的任一者：半球形、三角锥形、四角锥形、六角锥形、圆锥形、及截球形。
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