[发明专利]贴合晶片的制造方法

摘要

本发明为一种贴合晶片的制造方法，其特征在于，在贴合工序之前，具有对结合晶片和基体晶片中的至少一者的贴合面进行等离子体活化处理的工序，在前述等离子体活化处理工序中，一边使前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的背面以点接触或线接触的状态载置于载台上，一边进行前述等离子体活化处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，所述方法在进行等离子体活化处理时，可以抑制微粒等附着物在晶片背面上增加，尤其在利用分批式清洗机来清洗等离子体活化处理后的晶片时，可以防止附着物再附着于晶片的贴合面。 1

主权项

1.一种贴合晶片的制造方法，其包括以下工序：从结合晶片的表面注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，以形成离子注入层；使前述结合晶片的离子注入表面与基体晶片的表面直接或者隔着氧化膜而贴合；及，通过以前述离子注入层为界来使结合晶片剥离，制作在前述基体晶片上具有薄膜的贴合晶片；所述贴合晶片的制造方法的特征在于，

在前述贴合工序之前，具有对前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的贴合面进行等离子体活化处理的工序，

在前述等离子体活化处理工序中，一边使前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的背面以点接触或线接触的状态载置于载台上，一边进行前述等离子体活化处理，

在前述贴合工序之前，利用分批式清洗机来清洗已进行前述等离子体活化处理后的前述结合晶片或前述基体晶片，

将使前述背面在前述载台上点接触或者线接触的相对于晶片中心呈放射状配置的位置的数量设为3、4、6、8、12处，

使前述背面在前述载台上点接触时，接触部的直径在3mm以下，

使前述背面在前述载台上线接触时，接触部的宽度在3mm以下，接触部的长度是晶片半径的1/2以下。

2.如权利要求1所述的贴合晶片的制造方法，其中，在前述等离子体活化处理工序中，通过将前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者，载置于前述载台的表面所形成的点状或线状凸部上，来实现点接触或线接触。

3.如权利要求1所述的贴合晶片的制造方法，其中，在前述等离子体活化处理工序中，通过将前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者，载置于前述载台的表面所配置的具有点状或线状的支撑部的台座上，来实现点接触或线接触。