[发明专利]固态摄像装置及其制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201380021731.8 | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104247021B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 宫波勇树 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种固态摄像装置，包括有机光电转换层；钝化层，形成为覆盖该有机光电转换层的顶部；以及绝缘膜，形成在该钝化层上以及形成在该钝化层中层差上产生的窄缝中，该绝缘膜的折射系数小于该钝化层的折射系数。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 摄像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种固态摄像装置，包括：有机光电转换层；钝化层，形成为覆盖该有机光电转换层的顶部；以及绝缘膜，形成在该钝化层上以及形成在在该钝化层的狭缝中，其中，由于钝化层下的层差，在钝化层中形成所述狭缝，该绝缘膜的折射系数小于该钝化层的折射系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
