[发明专利]非易失性存储器中不插入擦除的多个写入操作无效
| 申请号： | 201380022817.2 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104285256A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | O.H.比森 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 万里晴 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种要由数据存储设备(102)执行的方法，包括将第一数据(160)写入至非易失性存储设备(104)中的一组存储元件(106)。基于要被存储在该组存储元件的每个特定存储元件(108)中的第一数据值，将所述每个特定存储元件分配至第一状态集合(148)的特定状态。所述方法还包括用第二数据(162)覆写该组存储元件中的所述第一数据(160)。基于要被存储在该组存储元件的每个特定存储元件(108)中的第二数据值，将所述每个特定存储元件分配至第二状态集合(150)的特定状态。至少一个状态(142)被包括在所述第一状态集合(148)中，并且被排除在所述第二状态集合(150)之外。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 插入 擦除 写入 操作 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在数据存储设备中，执行：将第一数据写入至一组存储元件，其中，基于要被存储在该组存储元件的每个特定存储元件中的第一数据值，将所述每个特定存储元件分配至第一状态集合的特定状态；以及用第二数据覆写该组存储元件中的所述第一数据，其中，基于要被存储在该组存储元件的每个特定存储元件中的第二数据值，将所述每个特定存储元件分配至第二状态集合的特定状态，其中，至少一个状态被包括在所述第一状态集合中，并且被排除在所述第二状态集合之外。
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