[发明专利]变阻型存储装置有效
| 申请号： | 201380023018.7 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104285295B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 角岛邦之;窦春萌;帕尔哈提·艾合买提;岩井洋;片冈好则 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京工业大学;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种通/断比高的变阻型存储装置。根据一个实施方的变阻型存储装置包括第一电极，包含第一元素；电阻变化层，设置于所述第一电极上，包含所述第一元素的氧化物；氧传导层，设置于所述电阻变化层上，包含第二元素和氧，具有氧离子传导性，并且其相对介电常数高于所述电阻变化层的相对介电常数；以及第二电极，设置于所述氧传导层上。在使所述第一电极和所述第二电极之间的电压从零连续地增加时，所述电阻变化层在所述氧传导层之前经历电介质击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 变阻型 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种变阻型存储装置，包括：第一电极，包含第一元素；电阻变化层，设置于所述第一电极上，包含所述第一元素的氧化物；氧传导层，设置于所述电阻变化层上，包含第二元素和氧，具有氧离子传导性，并且其相对介电常数高于所述电阻变化层的相对介电常数；以及第二电极，设置于所述氧传导层上，变阻型存储装置被配置为使得在所述第一电极和所述第二电极之间的电压从零连续地增加时，所述电阻变化层先于所述氧传导层经历电介质击穿，其中所述第一元素是硅，以及所述第二电极由不与所述氧传导层反应的材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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