[发明专利]离子植入系统以及处理基板的方法

摘要

本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。

主权项

一种处理基板的离子植入系统，包括：离子源，包括离子源腔室，所述离子源腔室包括定义离子产生区及萃取孔的离子源腔室壁，经由所述萃取孔萃取所述离子产生区中产生的离子；萃取系统，位于靠近所述萃取孔的所述离子源下游；以及材料源，包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、以及第一导管及第二导管，其中所述第一导管与所述第一源及所述离子源腔室连通，以提供来自所述第一源的所述第一材料至所述离子源腔室，且其中所述第二导管与所述第二源连通，所述第二导管的末端延伸至所述离子源腔室外侧的第一区，以提供来自所述第二源的所述第二材料至所述第一区，其中所述第一区邻近所述萃取孔。