[发明专利]化学增幅型抗蚀剂组合物,抗蚀剂膜,掩模坯,形成图案及制造电子器件的方法有效
申请号: | 201380023929.X | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN104272189B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 土村智孝;高桥孝太郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C07C309/05;C07C309/12;C07C309/17;C07C309/31;C07C381/12;C08F212/14;C09K3/00;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 牛海军 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
根据本发明的化学增幅型抗蚀剂组合物包含(A)包括具有一个或多个氟原子的三芳基锍阳离子并且能够通过活性射线或辐射的照射而生成体积为 |
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搜索关键词: | 化学 增幅 型抗蚀剂 组合 使用 抗蚀剂膜 涂布抗蚀剂 掩模坯 形成 光掩模 图案 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种化学增幅型抗蚀剂组合物,所述化学增幅型抗蚀剂组合物包含:(A)包含具有三个以上氟原子的三芳基锍阳离子并且能够通过活性射线或辐射的照射而生成体积为
以上的酸的化合物,其中构成所述化合物(A)的三芳基锍阳离子中的三个芳基中的至少一个芳基的苯环直接连接至所述化合物(A)中包含的三个以上氟原子中的至少一个氟原子;和(B)包含酚羟基的化合物,其中所述包含酚羟基的化合物包含其中酚羟基的氢原子被包含非酸降解性的具有5至40个碳原子的多环脂环烃结构的基团取代的结构。
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