[发明专利]切换装置结构及方法有效
| 申请号： | 201380023984.9 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104303301B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述切换装置结构及方法。切换装置可包含包括形成于第一电极与第二电极之间的材料的竖直堆叠。所述切换装置可进一步包含第三电极，所述第三电极耦合到所述竖直堆叠且经配置以接收施加到第三电极的电压以控制在所述第一电极与所述第二电极之间的所述材料中的导电路径的形成状态，其中所述导电路径的所述形成状态可在接通状态与关断状态之间切换。 | ||
| 搜索关键词： | 切换 装置 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种切换装置(100‑1、100‑2、100‑3；300)，其包括：竖直堆叠，其包括形成于第一(102)电极与第二(104)电极之间的材料(111)；以及邻近于所述第一电极(102)且围绕所述第一电极(102)的第三电极(106‑1、106‑2、106‑3)，其耦合到所述竖直堆叠，且经配置以接收施加到所述第三电极的电压，以控制在所述第一(102)电极与所述第二(104)电极之间的所述材料(111)中的导电路径(108)的形成状态；其中所述导电路径(108)的所述形成状态可在接通状态与关断状态之间切换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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