[发明专利]红外线发射器与NDIR传感器有效
| 申请号： | 201380024495.5 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104285500B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | S·Z·阿里;F·乌德雷亚;J·加德纳;M·F·乔杜里;I·波埃纳鲁 | 申请（专利权）人： | AMS传感器英国有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/14 | 分类号： | H05B3/14;G01N27/16;G01N21/35;H05B3/26 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 孙向民,肖冰滨 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 以微热板设备的形式提供一种红外线源。所述微热板设备包括CMOS金属层，所述CMOS金属层由至少一层嵌入由硅基板所支撑的电介质膜所构成。所述设备以接着进行背刻蚀步骤的CMOS工艺形成。所述设备对本领域设备的发展是有利的，因为它提供微机械红外线源，能够实现高温度(从而实现更高辐射)，而且同时能够被商业的CMOS工艺所制造，从而具有低制造成本、高再现性与高可靠性以及提供单片集成电路的可能性。所述设备也能够与红外线检测器集成在相同的芯片上并被封装以形成完整的NDIR传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 发射器 ndir 传感器 | ||
【主权项】：
一种红外线源，该红外线源包括：电介质膜，所述电介质膜形成在包括刻蚀部分的半导体基板上，其中所述电介质膜以接着进行所述半导体基板的背刻蚀的CMOS工艺形成；电阻加热器，所述电阻加热器由形成在所述电介质膜内的CMOS可用金属制成；以及有图案的金属层，所述有图案的金属层形成在所述电阻加热器的顶部以提高对于特定波长的红外线发射；其中，所述CMOS可用金属包括至少一层钨，以及其中，所述红外线源被配置成使得红外线辐射从所述电介质膜内的所述电阻加热器被发射。
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