[发明专利]红外传感器设备和用于制造红外传感器设备的方法有效

专利信息
申请号: 201380025594.5 申请日: 2013-04-12
公开(公告)号: CN104412083B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: I·赫尔曼;C·舍林 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20;H01L31/103;H01L31/0352;H01L27/146;G01J5/02;G01J5/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 杜荔南,胡莉莉
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种红外传感器设备(100),具有至少一个在半导体衬底(5)中构造的传感器元件(2),其中在SOI晶片(1)中在传感器元件(2)下面和围绕传感器元件(2)构造缝隙(3,8);和悬吊装置(10),传感器元件借助于该悬吊装置(10)悬吊在SOI晶片(1)中。红外传感器设备(100)的特征在于,传感器元件(2)基本上布置在悬吊装置(10)下面。由此达到高的灵敏度、低的热容量、到衬底的小的热耦合以及由此高的图像重复频率。传感器元件(2)是二极管,其在单晶的、基本上呈U形的半导体衬底(5)的硅区域中构造。
搜索关键词: 红外传感器 设备 用于 制造 方法
【主权项】:
红外传感器设备(100),具有:SOI晶片衬底(1),其具有载体衬底(7)、氧化物材料(6)和器件层(5);多个在器件层(5)中构造的二极管作为传感器元件(2),其中氧化物材料(6)布置在传感器元件(2)周围并且布置在传感器元件(2)的下侧处;其中传感器元件(2)通过环绕的缝隙(3)形式的热绝缘槽和通过载体衬底(7)中的穴(8)与其余的SOI晶片衬底(1)热绝缘;悬吊装置(10),借助该悬吊装置(10)将传感器元件(2)悬吊在SOI晶片衬底(1)中;其中传感器元件(2)基本上布置在悬吊装置(10)下面;其中所述二极管具有单晶的、基本上呈U形的硅区域;其中硅区域的掺杂区域被布置为使得二极管基本上垂直取向;以及其中所述掺杂区域通过氧化物材料(6)彼此分开并且与环绕的缝隙(3)分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380025594.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top