[发明专利]冷却机构和处理系统有效
申请号: | 201380025694.8 | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN104303284B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 熊谷圭太;佐佐木义明;菊岛博人;井富隼人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;F24F7/06;F24F13/08;H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种冷却机构(10),其特征在于,该冷却机构(10)包括:多个支承台(54),其设于形成有下降流的大气输送室(6),且沿上下方向设为多层;多个支承销(56),其设于各所述支承台(54),用于与所述被处理体(W)的背面接触而支承所述被处理体(W);和折流板(58),其设于所述支承台(54),用于利用所述下降流冷却被支承在位于该支承台(54)的下层的支承台(54)上的所述被处理体(W)。 | ||
搜索关键词: | 冷却 机构 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种冷却机构,其特征在于,该冷却机构包括:多个支承台,其设于形成有下降流的大气输送室,多个该支承台沿上下方向设为多层;多个支承销,其设于各所述支承台,用于与被处理体的背面相接触而支承所述被处理体;和侧部冷却部件,其从支承于所述支承台的所述被处理体的侧部放出冷却气体,且使所述冷却气体沿着所述被处理体的表面流动,所述侧部冷却部件具有:冷却气体通路,其供所述冷却气体流动;和气体出口部,其设在所述冷却气体通路的出口侧且位于所述被处理体的侧方,所述冷却气体通路沿上下方向延伸且上端形成为用于引入所述下降流的引入口,以将所述下降流用作所述冷却气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380025694.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:均质多带隙装置
- 下一篇:蚀刻方法和等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造