[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备有效
| 申请号： | 201380025710.3 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN104303323B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙;金昭廷 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 陈海涛,穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的发光器件包含发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下并具有在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 包装 设备 | ||
【主权项】：
一种发光器件，所述发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；设置在所述反射电极下的金属层；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极，其中从所述反射电极的第二区域延伸的所述反射电极的最上面与所述电极在垂直方向上重叠，其中所述金属层与所述第二导电半导体层的底面接触，其中所述金属层的第一区域的位置高于所述有源层，所述金属层的第二区域与所述第二导电半导体层的底面接触，其中所述金属层的第三区域从所述金属层的第二区域向外延伸，其中所述金属层的第三区域暴露于所述发光结构的下外围部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380025710.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
