[发明专利]HEMT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201380025830.3 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104412388B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 萨梅·哈利勒;卡里姆·S·保特罗斯;凯苏克·稀恩奥哈拉 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;崔利梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)，所述HEMT具有衬底、位于所述衬底上的沟道层和位于所述沟道层上的势垒层，所述HEMT包括在所述势垒层上的应力诱发层，所述应力诱发层改变栅极和漏极之间的漂移区域中的所述势垒层中的压电效应。在所述栅极和所述漏极之间的所述漂移区域中存在具有非均匀横向分布的二维电子气(2DEG)。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)，具有衬底、位于所述衬底上的沟道层和位于所述沟道层上的势垒层，所述HEMT包括：位于所述势垒层上的应力诱发层，所述应力诱发层改变栅极和漏极之间的漂移区域中的所述势垒层中的压电效应；其中二维电子气(2DEG)在所述栅极和所述漏极之间的所述漂移区域中具有非均匀横向分布。
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