[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201380026182.3 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104321855B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林秀树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L27/095;H01L27/098;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集电极层(19)由具有第一导电类型的碳化硅制成。开关元件(80)设置在集电极层(19)上。开关元件(80)包括用于控制具有第二导电类型的沟道(CH)的结型栅极(32)，第二导电类型不同于第一导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：集电极层，所述集电极层由具有第一导电类型的碳化硅制成；以及开关元件，所述开关元件设置在所述集电极层上，所述开关元件包括用于控制具有第二导电类型的沟道的结型栅极，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，其中，所述开关元件包括：半导体层，所述半导体层具有第一层、第二层和第三层，所述第一层设置在所述集电极层上并且具有所述第二导电类型，所述第二层设置在所述第一层上并且具有所述第一导电类型，所述第三层设置在所述第二层上并且具有所述第二导电类型，所述半导体层设置有沟槽，所述沟槽具有穿透所述第三层和所述第二层并且到达所述第一层的侧壁；沟道层，所述沟道层在所述沟槽的所述侧壁上接触所述第一层至第三层中的每一个并且具有所述第二导电类型；作为所述结型栅极的栅极层，所述栅极层将所述沟道层夹在所述栅极层本身和所述第二层之间并且具有所述第一导电类型；以及栅电极，所述栅电极设置在所述栅极层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
