[发明专利]悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基体的研磨方法及基体有效
| 申请号： | 201380026398.X | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104321852A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 岩野友洋;南久贵;阿久津利明;藤崎耕司 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含有磨粒和水的悬浮液，所述磨粒含有4价金属元素的氢氧化物，并且，在将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液中，所述磨粒使该水分散液对波长400nm的光的吸光度为1.00以上、小于1.50，并且，在以离心加速度1.59×105G对将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液进行50分钟离心分离时获得的液相中，所述磨粒使该液相对波长400nm的光的吸光度为0.035以上。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮液 研磨 液套剂 基体 方法 | ||
【主权项】：
一种悬浮液，其含有磨粒和水的悬浮液，所述磨粒含有4价金属元素的氢氧化物，并且，在将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液中，所述磨粒使该水分散液对波长400nm的光的吸光度为1.00以上、小于1.50，并且，在以离心加速度1.59×105G对将该磨粒的含量调节至1.0质量％的水分散液进行50分钟离心分离时获得的液相中，所述磨粒该液相对波长400nm的光的吸光度为0.035以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
