[发明专利]用于处理绝缘体上半导体结构以提高半导体层厚度均匀度的工艺

摘要

本发明涉及一种用于处理绝缘体上半导体型结构的工艺，该绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底(1)、介电层(2)和具有小于或等于100nm的厚度的半导体层(3)，所述半导体层(3)被牺牲氧化物层(4)覆盖，其特征在于该工艺包括以下步骤在分布在所述结构的表面上的多个点处测量所述牺牲氧化物层(4)和所述半导体层(3)的厚度，以根据所述测量生成所述半导体层(3)的厚度的绘图并确定所述半导体层(3)的平均厚度，选择性刻蚀所述牺牲氧化物层(4)以暴露所述半导体层(3)，以及对所述半导体层(3)执行化学刻蚀，根据所述半导体层(3)的平均厚度的所述绘图来调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件，从而在所述测量步骤结束时将所述半导体层(3)至少局部地减薄被识别为高出的厚度的厚度。

主权项

一种用于处理绝缘体上半导体型结构的工艺，该绝缘体上半导体型结构依次包括支撑衬底（1）、介电层（2）和具有小于或等于100 nm的厚度的半导体层（3），所述半导体层（3）被牺牲氧化物层（4）覆盖，其特征在于该工艺包括以下步骤：‑在分布在所述结构的表面上的多个点处测量所述牺牲氧化物层（4）和所述半导体层（3）的厚度，以根据所述测量生成所述半导体层（3）的厚度的绘图并确定所述半导体层（3）的平均厚度，‑选择性刻蚀所述牺牲氧化物层（4）以暴露所述半导体层（3），以及‑对所述半导体层（3）执行化学刻蚀，根据所述半导体层（3）的平均厚度的所述绘图来调整所述化学刻蚀的施加、温度和/或持续时间条件，从而在所述测量步骤结束时将所述半导体层（3）至少局部地减薄被识别为高出的厚度的厚度，其中，所述高出的厚度对应于根据所述测量获得的所述半导体层（3）的厚度与目标厚度之间的差异，所述目标厚度小于或等于所述平均厚度。