[发明专利]延长的选择栅寿命有效

专利信息
申请号: 201380026607.0 申请日: 2013-06-04
公开(公告)号: CN104321822B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: Y.B.瓦朝雷;K.潘加;郭炘;孟庆茹;H.贝加 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/14;G11C16/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 徐予红,汤春龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储器装置可以包括位于集成电路中的两个或两个以上存储器单元;充当耦合到所述两个或两个以上存储器单元的选择栅的至少一个闪速单元;以及用于在集成电路的正常操作期间接受选择栅擦除命令和选择栅编程命令的接口。集成电路能够执行操作,以便响应于选择栅擦除命令擦除所述至少一个选择栅,并响应于选择栅编程命令将所述至少一个选择栅编程。
搜索关键词: 延长 选择 寿命
【主权项】:
一种存储器装置,包括:集成电路中的两个或两个以上存储器单元;耦合到所述两个或两个以上存储器单元的至少一个选择栅,其中所述至少一个选择栅包括闪速单元;以及用于在所述集成电路的正常操作期间接受选择栅擦除命令和选择栅编程命令的接口;所述集成电路能够执行操作以便:提供与所述至少一个选择栅的电压阈值有关的信息;响应于所述选择栅擦除命令,擦除所述至少一个选择栅;以及响应于所述选择栅编程命令,将所述至少一个选择栅编程。
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